RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Compara
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1995
2764
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link