RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
66
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1760
3020
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link