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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Confronto
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
66
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
7.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
34
Velocità di lettura, GB/s
7.3
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1760
3020
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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