RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
16
51
Rund um -219% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.1
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.6
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
16
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
22.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
18.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2049
3906
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link