Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

Gesamtnote
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Gesamtnote
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Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

Unterschiede

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 51
    Rund um -70% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.3 left arrow 10.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.8 left arrow 7.6
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    51 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.2 left arrow 16.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.6 left arrow 10.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2049 left arrow 2778
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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