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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Confronto
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
51
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
7.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
51
30
Velocità di lettura, GB/s
10.2
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2049
2778
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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