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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Compara
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
51
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
7.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
51
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2049
2778
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
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