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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

総合得点
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

総合得点
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Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 51
    周辺 -70% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.3 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.8 left arrow 7.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 16.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.6 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2049 left arrow 2778

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