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Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB vs Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

総合得点
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Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB

総合得点
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Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 30
    周辺 23% 低遅延
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.3 left arrow 15.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.8 left arrow 9.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    23 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 16.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.9 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2588 left arrow 2778

Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston XJ69DF-HYA 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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