RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
49
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2951
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link