RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
2951
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link