RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
49
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
3336
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link