RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
3444
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link