RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3444
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link