RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
75
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3168
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link