RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3023
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link