RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3023
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link