RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
74
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2243
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link