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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
49
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2291
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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