RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
49
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
2291
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link