RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
49
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2875
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link