RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
49
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
47
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2875
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link