RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3015
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link