RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3015
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link