RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
59
Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3066
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link