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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
59
Autour de -211% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
19
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3066
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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