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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
27
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3022
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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