RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
27
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
20
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3022
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSO8GX3M1C1333C9 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1869DT1TX0. 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link