RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
27
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3012
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link