RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2700
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link