RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
54
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2124
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link