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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
54
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2124
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
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