RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
49
En -29% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2283
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link