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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
49
Por volta de -29% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2283
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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