RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation M424051 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
75
97
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation M424051 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.5
2,072.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
97
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
1270
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link