RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation M424051 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
75
97
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation M424051 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
2,072.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
97
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,730.3
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
5.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1270
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link