RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3030
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link