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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3030
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
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Mushkin 994052 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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