RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
44
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2581
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link