RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3187
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1339U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link