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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
17.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3773
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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