RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3773
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link