RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3258
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link