RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3258
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link