RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2591
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link