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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
11.8
14.2
写入速度,GB/s
7.3
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2591
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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