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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 994052 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Mushkin 994052 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Mushkin 994052 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin 994052 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 994052 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
20
读取速度,GB/s
11.8
17.1
写入速度,GB/s
7.3
11.7
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2996
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Mushkin 994052 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
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Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
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