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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 994052 4GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Mushkin 994052 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin 994052 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
Mushkin 994052 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
27
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
7.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 994052 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
20
Velocità di lettura, GB/s
11.8
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2996
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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