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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 994052 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Mushkin 994052 4GB

Puntuación global
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Puntuación global
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Mushkin 994052 4GB

Mushkin 994052 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Mushkin 994052 4GB Razones a tener en cuenta
Mushkin 994052 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    20 left arrow 27
    En -35% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.1 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.7 left arrow 7.3
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 994052 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 20
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.8 left arrow 17.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.3 left arrow 11.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2057 left arrow 2996

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

Mushkin 994052 4GB Comparaciones de la memoria RAM

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Mushkin 994052 4GB
Mushkin 994052 4GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Memoria RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Memoria RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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