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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

Puntuación global
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Puntuación global
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Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 38
    En 29% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21% mayor ancho de banda
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 7.3
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.8 left arrow 13.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.3 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2057 left arrow 2242

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Mushkin 994052 4GB

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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Memoria RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Memoria RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Memoria RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Memoria RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Memoria RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
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